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氮化鎵(GaN氮氣烘箱)是一種寬禁帶半導體材料
來源: | 作者:雋思半導體設備部 | 發布時間: 2024-04-28 | 1035 次瀏覽 | 分享到:
氮化鎵(GaN氮氣烘箱)是一種寬禁帶半導體材料。GaN產業范疇大致包括:GaN單晶襯底(以SiC、Si、藍寶石為襯底)、GaN材料外延、器件設計以及器件制造。國內氮化鎵企業以IDM模式為主,充分挖掘行業技術潛力,且有條件率先實驗并推行新技術。隨著行業規模不斷拓展, 設計與制造環節已經開始出現分工。

      氮化鎵(GaN氮氣烘箱)是一種寬禁帶半導體材料,其禁帶寬度達到3.4eV,是最具代表性的第三代半導體材料之一。

      第三代半導體因為具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更優的抗輻照能力,更適合制作高溫、高頻、大功率及抗輻照器件,可廣泛應用在高壓、高頻、高溫以及高可靠性等領域,包括射頻通信、雷達、衛星、電源管理、汽車電子、工業電力電子等。

      GaN產業范疇大致包括:GaN單晶襯底(以SiC、Si、藍寶石為襯底HMDS烘箱)、GaN材料外延氮氣烘箱、器件設計以及器件制造。國內氮化鎵企業以IDM模式為主,充分挖掘行業技術潛力,且有條件率先實驗并推行新技術。隨著行業規模不斷拓展, 設計與制造環節已經開始出現分工。

      氮化鎵射頻器件主要應用于軍用雷達、衛星通訊、5G 基站等方面,由于涉及國家安全,海外企業對高性能氮化鎵器氮氣烘件實行對華禁運。在國產替代的迫切要求下,相關氮化鎵射頻器件企業已逐步打破國外壟斷,取得技術進步。

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